Erst Ende Juli 2015 hat Intel zusammen mit Micron die neue Speichertechnologie 3D XPoint präsentiert. 1000 mal schneller als aktuelle Flash-Speicher, eine tausendfache Lebensdauer bei den Schreibzyklen und Packungsdichten, die um den Faktor 10 höher sind als bei RAM-Speicherbausteinen - so lauten die Eckdaten. Was sich hinter 3D XPoint verbirgt, können Sie auch in unserem Hintergrundbericht Intel revolutioniert Speichertechnologie nachlesen.
- Produktpräsentation 3D XPoint
Intel und Micron haben die neue Speichertechnologie 3D XPoint zusammen entwickelt. - Produktpräsentation 3D XPoint
Seit der Vorstellung von NAND-Flash im Jahr 1989 handle es sich bei 3D XPoint um die erste neue Speicherkategorie. - Produktpräsentation 3D XPoint
Aktuell sei eine der größten Hürden im modernen Computing die lange Zeit, bis Daten vom Storage-Subsystem in den Prozessor gelangen, wie Mark Adams, President von Micron erläutert. - Produktpräsentation 3D XPoint
1000 mal schneller als aktuelle Flash-Speicher, eine tausendfache Lebensdauer bei den Schreibzyklen und dann Packungsdichten, die um den Faktor 10 höher sind als bei den RAM-Speicherbausteinen. - Produktpräsentation 3D XPoint
Das Prinzip von 3D XPoint basiert auf einer dreidimensionalen „Cross Point“ Architektur. Die Speicherzellen werden über sogenannte Selektoren individuell angesteuert, die in Schichten kreuzweise verlegt sind. - Produktpräsentation 3D XPoint
Die Einsatzgebiete von 3D XPoint sind laut den Herstellern Intel und Micron sehr vielfältig. - Produktpräsentation 3D XPoint
Zumindest die Erfinder sprechen von einem Durchbruch in der Speichertechnologie. - Siliziumplättchen von 3D XPoint
Pro Die sind anfänglich 128 Gbit Kapazität möglich - Wafer mit 3D XPoint-Chips
Erste Sample-Wafer werden bereits produziert.
Auf dem Intel Developer Forum hat Intel nun erste Produkte auf Basis von 3D XPoint angekündigt. Unter der Bezeichnung "Optane Technology" kombiniert Intel die neue Storage-Technologie mit seinen eigenen Speicher-Controllern, Schnittstellen und dem Software-Layer (Treiber). Intel sieht seine Optane-Technologie in Ultrabooks ebenso wie im Rechenzentrum. Im Laufe von 2016 wird eine auf Zuverlässigkeit getrimmte High-Performance-SSD den Anfang der Optane-Linie machen. Später kommen als weiteres Optane-Produkt DIMMs von Intel auf den Markt. Diese Speicherriegel finden in der nächsten Generation von Server-Plattformen ihren Einsatz, wie Intel ebenfalls auf der Entwicklerkonferenz nun ankündigte. Bisher gab es nur Hinweise aus "geleakten" Roadmaps über Intels künftige Server-Plattform mit Codenamen Purley, die im Jahr 2017/2018 erscheinen soll.
Erste Live-Demo von 3D XPoint
Neben den Produktankündigungen demonstrierte Intel seine 3D-XPoint-basierende Optane-Technologie erstmals. Gezeigt wurde ein Test für den IOPS-Durchsatz im Vergleich zu einer Intel SSD DC P3700, der schnellsten SSD des Herstellers. Während die PCI-Express-SSD einen Durchsatz von 84.400 IOPS (70 Prozent Reads, 30 Prozent Writes, Queue Depth 8) erreichte, schaffte der frühe Prototyp mit 3D XPoint 459.900 IOPS. Damit liefert die neue Technologie den 5,5-fachen Durchsatz im Vergleich zur NAND-basierenden SSD. Während der Demo kamen auch Spitzenwerte mit einem Faktor von 7 heraus.
- Intel Optane mit 3D-XPoint-Technologie
Auf dem Intel Developer Forum hat Intel nun erste Produkte auf Basis von 3D XPoint angekündigt. Unter der Bezeichnung „Optane Technology“ kombiniert Intel die neue Storage-Technologie mit seinen eigenen Speicher-Controllern, Schnittstellen und dem Software-Layer (Treiber). - Intel Optane mit 3D-XPoint-Technologie
Neben den Produktankündigungen demonstrierte Intel seine 3D-XPoint-basierende Optane-Technologie erstmals. - Intel Optane mit 3D-XPoint-Technologie
In der Demo liefert die neue Technologie den 5,5-fachen Durchsatz im Vergleich zur NAND-basierenden SSD. Während der Vorführung kamen auch Spitzenwerte mit einem Faktor von 7 heraus.
Der Wert darf natürlich nicht mit der von Intel und Micron angekündigten 1000-fachen Performance verglichen werden, denn hier handelt es sich um einen Vergleich auf der Ebene der Speicherzelle - wie schnell lassen sich Daten auslesen. In Produkten wie einer SSD müssen noch die Bandbreiten des Controllers und der Schnittstellen berücksichtigt werden. Und gerade bei IOPS-Tests geht es auch nicht um die reine Transferrate, sondern um möglichst viele kleine Schreib- und Lesezyklen. Hier spielen die Latenzzeiten bei den Zugriffen auf Speicherzellen eine entscheidende Rolle. Der über fünffache Durchsatz an IOPS kann hier durchaus als beeindruckend bezeichnet werden.
Neue Details zur Technologie von 3D XPoint hat es auf dem Intel Developer allerdings nicht gegeben. Neu ist allerdings die Aussage, dass 3D XPoint bei Lese- und Schreibzugriffen annähernd identische Zugriffszeiten bietet. Damit besitzt die Technologie einen deutlichen Vorteil gegenüber NANDs, wo Schreibzugriffe mit einer höheren Latenzzeit verbunden sind. (cvi)